กิมจิแจ้งเกิดชิปหน่วยความจำ"หนาแน่นที่สุดในโลก"

ไฮนิกซ์เซมิคอนดักเตอร์ (Hynix Semiconductor) ผู้ผลิตชิปจากเกาหลีใต้ ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาชิปหน่วยความจำความหนาแน่นสูงที่สุดในโลกขณะนี้ เบื้องหลังความสำเร็จคือเทคโนโลยีการผลิตที่มีขนาดเพียง 40 นาโนเมตร

ชิปหน่วยความจำหนาแน่นที่สุดในโลกของไฮนิกซ์คือชิป DDR3 DRAM (dynamic random access memory) ใช้เทคโนโลยีเขียนวงจรไฟฟ้าขนาด 40 นาโนเมตร ซึ่งมีขนาดบางกว่าเทคโนโลยีที่ใช้ในชิปหน่วยความจำปัจจุบันราว 1 ใน 5 แน่นอนว่าเทคโนโลยีที่บางลงจะทำให้ชิปหน่วยความจำที่ได้มีประสิทธิภาพมากขึ้น

ไฮนิกซ์ระบุว่า ชิป DDR3 DRAM เทคโนโลยี 40 นาโนเมตรนี้มีประสิทธิภาพเหนือกว่าชิปที่มีในท้องตลาดราว 50 เปอร์เซ็นต์ แต่ใช้พลังงานน้อยกว่าและใช้ต้นทุนการผลิตต่ำกว่าด้วย โดยการผลิตชิป DDR3 DRAM เทคโนโลยี 40 นาโนเมตรแบบแมสโปรดักชั่นหรือการผลิตเต็มรูปแบบจะเริ่มต้นในช่วงไตรมาส 3 ของปีนี้

ปาร์ก ฮุน ประชาสัมพันธ์ของไฮนิกซ์ให้สัมภาษณ์ว่า ไฮนกซ์เป็นบริษัทรายแรกของโลกที่สามารถนำเทคโนโลยีการผลิต 40 นาโนเมตรมาใช้ในการผลิตชิป DDR3 DRAM ได้สำเร็จ เชื่อว่าความสำเร็จนี้จะทำให้ไฮนิกซ์ขึ้นแท่นผู้นำในสังเวียนตลาดชิปหน่วยความจำซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็วได้

ที่ผ่านมา ตลาดผู้ผลิตชิปหน่วยความจำดูเหมือนจะได้รับผลกระทบโดยตรงจากภาวะเศรษฐกิจถดถอยทั่วโลก แม้กระทั่งยักษ์ใหญ่อย่างโตชิบา (Toshiba) ยังออกมาประกาศลดจำนวนการผลิตลงในปีนี้แล้ว

Company Related Links :
hynix